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英飛凌推出業界首款無鉛封裝的汽車電源MOSFET

放大字體  縮小字體 發布日期:2014-10-10     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數:162
核心提示:

事業處標準電源產品副總裁暨總經理弗蘭克Schwertlein且符合RoHS環保之MOSFET,協助客戶開發節能的“綠色”產品。“

  英飛凌專*的無鉛黏晶(芯片粘接) 175μm),為功率半導體提供多項改良:

  環保的技術:不使用線索及其他有毒物質。

  擴散焊接黏晶技術結合薄晶圓制程:大幅降低封裝的導通電阻值的RDS(on)。

  熱阻(RthJC)改善率高達40 - 50%:傳統的軟線索焊料的熱傳導能力不佳,阻礙了​​MOSFET的接面之散熱。

  其他優點還包括:由于沒有焊錫流量跡(出血)及晶片傾斜(芯片tiltness)的問題,以及更收斂的RDS(ON)與RthJC

  從新款的OptiMOS T2 40V(如:IPB160N04S4 - 02D,160A)的規格產品得知,其RDS(ON)僅2.0mΩ且RthJC僅0.9K / W相較于使用標準線索焊接的同類產品,其導通電阻降低了約20%的OptiMOS T2的產品擁有同級產品中最佳效能。

  上市時間

  OtpiMOS T2為業界率先采用至無鉛封裝的車用電源的MOSFET的,系列產品包括IPB160N04S4 - 02D(160A,TO - 263封裝),IPB100N04S4 - 02D(100A,TO - 263),IPP100N04S4 - 03D(100A,TO - 220 )以及IPI100N04S4 - 03D(100A,TO - 262)皆已上市。

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