該模塊內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC－MOSFET構(gòu)成，尚屬業(yè)界首次。額定電流提高到180A，應(yīng)用范圍更廣，非常有助于各種設(shè)備的低功耗化、小型化。

　　另外，生產(chǎn)基地在羅姆總部工廠（日本京都），已經(jīng)開始銷售樣品，預(yù)計12月份開始量產(chǎn)并出貨。

　　羅姆于2012年3月世界首家實現(xiàn)內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅構(gòu)成的"全SiC"功率模塊（額定1200V/100A）的量產(chǎn)。該產(chǎn)品在工業(yè)設(shè)備等中的應(yīng)用與研究不斷取得進(jìn)展；而另一方面，在保持小型模塊尺寸的同時希望支持更大電流的需求高漲，此類產(chǎn)品的開發(fā)備受市場期待。

　　通常，為了實現(xiàn)大電流化，一般采用增加MOSFET使用數(shù)量等方法來實現(xiàn)，但這需要整流元件即二極管配套使用，因此長期以來很難保持小型尺寸。

　　此次，羅姆采用消除了體二極管通電劣化問題的第2代SiC-MOSFET，成功開發(fā)出無需整流元件-二極管的SiC功率模塊（SiC-MOS模塊），使SiC-MOSFET的搭載面積増加，在保持小型模塊尺寸的同時實現(xiàn)了大電流化。