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Vishay利用PowerPAK封裝的新款-40V和-30V MOSFET擴(kuò)充Gen III P溝道產(chǎn)品

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-10     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):34
核心提示:

  賓夕法尼亞、MALVERN,2013 年 7 月12 日 -- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件,擴(kuò)充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)較低的導(dǎo)通電阻,是首款-40V P溝道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET。

  SiS443DN和SiSS27DN適用于24V、19V和12V負(fù)載開關(guān),以及移動計算、智能手機(jī)和平板電腦中電源管理等各種應(yīng)用的適配器和電池開關(guān)。這些器件的低導(dǎo)通電阻在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先,使設(shè)計者能夠在電路里實現(xiàn)更低的壓降,更有效地使用能源,并延長電池使用時間。

  在需要更高電壓的應(yīng)用里,3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導(dǎo)通電阻。在導(dǎo)通電阻非常重要的場合,SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導(dǎo)通電阻,采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝。

  SiS443DN和SiSS27DN進(jìn)行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2011/65/EU。

  器件規(guī)格表:

  新款P溝道MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。

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