美國加州大學柏克萊分校(UC Berkeley)的科學家們表示已經(jīng)找到一種可推動晶片電感器(on-chip inductor)技術(shù)進展的新方法，將有助于催生新一代微型射頻(RF)電子與無線通訊系統(tǒng)設計。

加州大學的研究人員們深入探索在奈米磁鐵(nanomagnet)中奈米材料合成的最新發(fā)展。根據(jù)加州大學柏克萊分校機械工程系教授Liwei Lin表示，研究人員們發(fā)現(xiàn)，采用外覆絕緣層的磁性奈米粒子可使高頻的晶片電感器尺寸縮小，同時提升性能，同時，「藉由其高截止頻率提供良好的導磁率，從而降低在高頻作業(yè)時的渦流損耗。」

工程師們經(jīng)常面對的問題是，在試圖縮減晶片電感器尺寸的同時，還得保持其最佳電感與性能。Liwei Lin表示這些困難主要來自于「基本科學以及工程實踐約束」所造成的限制。

晶片電感器技術(shù)并未發(fā)生像電晶體技術(shù)一樣的進展電晶體技術(shù)在過去40年來一直遵循摩爾定律。電感器在電路上算是一款被動元件被歸類于「超越摩爾定律」的領(lǐng)域，因此整合的是不會因摩爾定律而微縮的RF與MEMS等非數(shù)位化功能。

晶片電感器架構(gòu)需要較大的面積，因為在其金屬走線之間需要一定的長度、匝數(shù)、厚度與空間，以實現(xiàn)適當?shù)碾姼信c性能。然而，對于要求較大的面積則可能會因為在旋轉(zhuǎn)線圈和半導體基板之間產(chǎn)生寄生效應而造成電感損失。

因此，電感器在微型化時必須添加磁性材料，但在這方面也帶來其他的技術(shù)限制，「例如制程方案、相容于標準制程，以及材料的穩(wěn)定度」，Liwei Lin說，「磁性材料在磁導率和頻率響應方面存在一些限制。 」

新的電感器制造技術(shù)采用絕緣的奈米復合磁性物質(zhì)作為填充材料來減少晶片電感器尺寸，以及提高達80%的電感，從而使晶片電感器縮減至少50%。此外，Liwei Lin強調(diào)，它還具有使作業(yè)頻率范圍從GHz級擴展至10GHz的潛力。

他預計電感器技術(shù)的這些進展可望在未來3-5年內(nèi)落實應用于晶片制程中。